顶点光电子商城2025年2月14日消息：近日，上海维安半导体有限公司近日取得一项名为“一种低钳位内嵌降容二极管的新型可控硅器件”的专利，授权公告号为CN111092117B，授权公告日为2024年12月31日，申请日为2020年02月21日。

         该专利涉及半导体元器件设计技术领域，尤其涉及一种内嵌降容二极管的新型可控硅器件。该器件包括可控硅模块和二极管模块，两者均形成于硅衬底的异质外延层上，并分别采用深槽DTI隔离。该专利产品的技术特点在于：解决了集成二极管的可控硅器件钳位电压高的问题，获得了一种在同等面积和同等电容下，钳位电压更低的器件。可控硅模块与二极管模块的特定结构设计和掺杂方式，使得器件具有更低的钳位电压和电容特性。

        该专利产品可广泛应用于需要低钳位电压和低电容特性的电子电路中，特别是在对器件性能和稳定性要求较高的领域，如电力电子、通信、计算机等领域。其优越的性能有望为相关领域的电子产品设计提供新的解决方案和选择。

          综上所述，维安半导体的“一种低钳位内嵌降容二极管的新型可控硅器件”专利是一项具有创新性和实用价值的实用新型专利，其获得授权标志着该公司在半导体元器件设计技术领域取得了新的突破。