顶点光电子商城2025年5月13日消息：力积电近年来大力研发3D晶圆堆叠Logic-DRAM芯片制程技术，已与AMD、日本GPU芯片设计业者及多家国际系统大厂联手，以力积电Logic-DRAM多层晶圆堆叠技术，与一线晶圆代工大厂先进逻辑制程合作开发新型3D AI芯片，发挥3D晶圆堆叠的优势。此前，力积电与工研院合作开发的全球首款专为生成式AI应用所设计的3D AI芯片，还拿下了2024 World R&D100 AI芯片大奖。同时，力积电在SEMICON Taiwan 2024大展上发布了3D晶圆堆叠的Logic-DRAM芯片制程技术，以此创新制程生产的3D AI芯片，应用在人工智能推论（Inference）系统，已展现数据传输带宽是传统AI芯片10倍、功耗仅七分之一的优异性能。

        力积电董事长黄崇仁曾表示，公司铜锣厂转型，重点发展3D AI代工服务，包括中间层（Interposer）和3D晶圆堆叠技术，以满足大型客户需求。面对晶圆代工成熟制程产能扩增带来的市场竞争，力积电已获得客户认证并开始小量出货高容值中间层产品。公司与AMD等一线逻辑代工业者合作，开发四层DRAM晶圆的WoW模组，以满足下游终端客户新产品进度。力积电整合逻辑、存储器成熟制程技术与设备，建置具有成本优势的3D AI代工平台。由于中间层与晶圆堆叠产品附加值高，且生产设备投资较低，力积电已部署初期数千片新产能，并可根据客户需求快速扩充产线。随着与印度塔塔集团合作案推进，力积电的FAB IP和3D AI代工业务步入正轨，预计2026年将迎来爆发性成长，成为成熟制程产业转型成功的新标杆。