顶点光电子商城2025年5月29日消息：近日，联电与英特尔合作开发12nm制程并于2027年量产，是双方基于技术互补、市场需求及供应链安全等多重考量下做出的战略决策，具有显著的技术突破意义与商业价值。

          联电与英特尔的合作源于双方在半导体领域的技术互补性。联电在成熟制程（如28nm及以上）拥有丰富的晶圆代工经验，而英特尔则在先进制程（如14nm及以下）和FinFET晶体管设计方面具备技术优势。此次合作旨在整合双方资源，开发12nm制程平台，以满足移动设备、通信基础设施和网络等高增长市场的需求。

         12nm制程平台相较于前代14nm制程，在性能、功耗和面积上均有显著提升。性能提升：通过FinFET晶体管设计，实现更高的晶体管密度和更低的漏电率，从而提升芯片性能。功耗降低：优化晶体管结构和电路设计，降低芯片功耗，延长设备续航时间。面积缩小：在相同性能下，芯片尺寸更小，有助于降低制造成本。此外，12nm制程避免了使用昂贵的EUV光刻机，使得制程更具成本效益，适合大批量生产。

         根据双方的合作计划，12nm制程平台将于2026年完成开发，2027年实现量产。量产将主要在英特尔位于美国亚利桑那州的晶圆厂进行，包括Fab 12、Fab 22和Fab 32等。这些晶圆厂拥有先进的制造设备和丰富的生产经验，能够确保12nm制程的顺利量产。

          推动半导体技术进步与供应链多元化12nm制程平台的开发将推动半导体技术向更先进、更高效的方向发展，满足市场对高性能、低功耗芯片的需求。联电与英特尔的合作将增加半导体供应链的多元化，降低对单一地区或企业的依赖，提高供应链的韧性和安全性。12nm制程平台的量产将加剧半导体市场的竞争，推动其他企业加快技术升级和产品创新，从而提升整个行业的竞争力。