顶点光电子商城2025年6月12日消息：近日，美光交付HBM4样品对AI平台性能提升具有显著助力，其技术参数和特性为AI计算带来了关键突破。

          HBM4采用2048位超宽接口设计，单堆栈带宽突破2.0TB/s，相较上一代HBM3E产品性能提升超60%。这一提升显著优化了数据吞吐效率，可大幅加速大型语言模型（LLM）及思维链推理系统的响应速度，使AI加速器具备更迅捷的实时决策能力。在能效方面，HBM4实现跨越式进步，功耗效率提升超20%。这意味着数据中心能以更低能耗支持更高强度AI负载，为可持续计算提供关键基础设施支撑。

           HBM4整合了美光成熟的1β（1-beta）DRAM工艺、12层先进封装技术及高性能内存内置自检（MBIST）功能。这种先进的封装技术有助于提升内存的集成度和可靠性。HBM4的高带宽与低延迟特性，以及先进的封装技术，使得逻辑xPU与内存之间的数据传输能力显著增强，从而提升了AI平台的整体性能。

          美光已向多个核心客户交付基于36GB 12层堆叠架构的HBM4内存样品，旨在为下一代AI平台开发者提供无缝集成的解决方案，满足生成式AI爆发性增长对高效推理能力的迫切需求。美光已规划2026年实现HBM4量产扩容，精准对接客户下一代AI平台商用进程。这将有助于进一步推动AI平台性能的提升和应用范围的扩大。