顶点光电子商城2025年6月12日消息：三星电子率先在DRAM领域导入干式光刻胶（Dry Photoresist，Dry PR）技术，是半导体制造工艺的一次重大突破。这一举措不仅体现了三星在先进制程技术上的领先地位，也为DRAM的性能提升和成本优化提供了新的可能。

          传统湿式光刻胶在涂覆和显影过程中需要使用液体溶剂，这可能导致液体表面张力对图案完整性产生影响，尤其是在超精细工艺中，这种影响更为显著。干式光刻胶直接沉积到晶圆表面，无需使用液体溶剂，从而避免了液体表面张力导致的图案变形问题，提高了制造精度。干式光刻胶具有更高的曝光效率，能够实现更为精细的线宽，这对于提升DRAM的性能和集成度至关重要。在10纳米及以下先进制程中，干式光刻胶的优势尤为明显，能够满足高分辨率、高精度的制造需求。干式光刻胶减少了化学溶剂的使用，降低了对环境的污染，符合当前半导体行业对绿色制造的要求。同时，由于减少了溶剂的使用和后续清洗步骤，干式光刻胶还有助于降低生产成本和提高生产效率。

          三星电子计划将干式光刻胶技术应用于其即将推出的第六代10纳米级DRAM工艺中，这将进一步提升DRAM的性能和集成度。通过采用干式光刻胶技术，三星有望在DRAM市场上保持领先地位，并满足不断增长的市场需求。三星还计划将基于1c nm工艺制造的DRAM应用于其HBM4产品中。HBM4作为下一代高带宽内存解决方案，对性能和可靠性有着极高的要求。干式光刻胶技术的引入将有助于提升HBM4的信号完整性和可靠性，从而满足AI、高性能计算等领域对内存性能的苛刻需求。

          尽管干式光刻胶技术具有诸多优势，但其在实际应用中仍面临一些技术挑战，如光刻胶的均匀沉积、曝光过程中的热管理等问题。三星需要不断优化工艺参数和设备配置，以确保干式光刻胶技术的稳定性和可靠性。

         随着半导体技术的不断发展，干式光刻胶技术有望在更多领域得到应用。三星作为半导体行业的领军企业，将继续加大在先进制程技术上的研发投入，推动干式光刻胶技术的进一步发展和完善。同时，三星还将积极探索与其他先进技术的结合，如极紫外光刻（EUV）技术等，以不断提升DRAM的性能和集成度，满足未来市场的需求。