顶点光电子商城2025年7月2日消息：近日，瑞萨电子宣布推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，进一步巩固其在氮化镓（GaN）功率半导体领域的领先地位。此次发布的产品基于第四代增强型SuperGaN®平台，结合瑞萨对Transphorm的收购成果，针对AI数据中心、电动汽车充电、可再生能源等高功率密度场景提供高效解决方案。

          三款产品均实现30mΩ低导通电阻，较上一代产品降低14%，显著减少导通损耗。导通电阻与输出电容乘积（RDS(on)×Coss）提升20%，优化开关损耗与效率平衡。4V阈值电压高于传统增强型GaN器件，增强抗干扰能力，提升系统稳定性。

          封装与热管理方面，提供TOLT、TO-247、TOLL三种封装选项，支持顶部或底部散热路径，满足不同功率等级（1kW-10kW）需求。表面贴装封装（如TOLT）降低外壳温度，便于高电流场景下的器件并联，提升功率扩展性。

          基于耗尽型（d-mode）常关断架构，集成高压GaN HEMT与低压硅MOSFET，实现常闭操作，同时兼容标准硅驱动器，简化设计流程。更低栅极电荷（Qg）、输出电容（Coss）及交叉损耗，减少开关损耗，提升高频效率。

          应用场景方面，瞄准高功率密度需求。AI数据中心与服务器电源，支持新型800V高压直流架构，提升功率转换效率，满足AI计算对高能效、紧凑体积的需求。电动汽车充电，适用于高压快充系统，通过高开关频率和低损耗特性，缩短充电时间并降低热管理成本。可再生能源与储能，太阳能逆变器、电池储能系统（BESS）及不间断电源（UPS）中，提升能量转换效率，减少系统体积与重量。工业电机驱动，在工业自动化场景中，提供高可靠性、高效率的功率转换，支持设备小型化与能效升级。

           通过收购Transphorm，瑞萨电子将成熟的SuperGaN®平台与自身驱动器、控制器产品整合，提供系统级解决方案，降低客户设计复杂度与总成本。

           性能对比优势，效率提升：相比硅基器件，GaN FET开关损耗降低50%以上，功率密度提升3倍。成本优化：更小裸片尺寸（较前代缩小14%）降低系统成本，输出电容减少20%，提升效率与可靠性。设计兼容性，兼容标准硅驱动器，无需专用驱动电路，降低GaN技术采用门槛，加速产品落地。

          瑞萨电子此次发布的三款GaN FET，标志着其在高压功率半导体领域的进一步深耕。通过技术创新与生态整合，瑞萨电子不仅强化了自身在AI、电动汽车、可再生能源等高增长市场的竞争力，也为行业提供了更高效、可靠的功率转换解决方案。

            随着GaN技术在800V高压架构、高频应用中的渗透率提升，瑞萨电子有望凭借其全面的产品组合（覆盖25W至10kW功率范围）和垂直整合能力，持续引领功率电子行业的变革，推动“高功率密度、高效率、低成本”的电源系统普及。