顶点光电子商城2025年7月9日消息：近日，瑞萨电子宣布推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS。

         这三款新型产品基于稳健可靠的SuperGaN®平台打造，结合对Transphorm的收购成果，实现多项技术突破。导通电阻（RDS(on)）低至30mΩ，较前代产品降低14%，显著减少导通损耗。开关损耗优化，栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss）降低，交叉损耗减少，支持高频开关（如硬开关应用中Qg低至24.5nC）。导通电阻与输出电容乘积（FOM）提升20%，平衡开关损耗与效率。

          封装与热管理方面，封装选项提供TOLT（顶部散热）、TO-247（传统电力电子封装）、TOLL（底部散热）三种封装，覆盖1kW至10kW功率范围。散热设计，表面贴装封装（如TOLT）降低外壳温度，支持高电流场景下的器件并联，提升功率扩展性。架构创新，耗尽型（D-Mode）常关断架构，集成高压GaN HEMT与低压硅MOSFET，实现常闭操作，兼容标准硅驱动器，无需专用驱动电路。抗干扰能力，4V阈值电压高于传统增强型GaN器件，增强系统稳定性，减少误触发风险。

          与硅基器件对比，效率提升，开关损耗降低50%以上，功率密度提升3倍。成本优化，裸片尺寸缩减14%，系统成本降低，输出电容减少20%。与竞品GaN器件对比，导通电阻，瑞萨产品导通电阻低至30mΩ，优于Transphorm同类产品（72mΩ）。驱动兼容性，兼容标准硅驱动器，无需专用驱动电路，降低设计门槛。热稳定性，动态RDS(on)在高温下（150℃）增幅低于SiC器件，减少电流坍塌效应。与SiC器件对比，开关频率，GaN FET支持更高频率（如MHz级），适用于高频应用（如图腾柱PFC）。成本效益，硅衬底GaN器件成本低于SiC，且8英寸晶圆量产进一步降低成本。

         应用场景与市场影响方面，AI数据中心与服务器电源，支持新型800V直流电源系统，提升功率转换效率，满足AI计算对高能效和紧凑体积的需求。案例验证：某头部云服务商采用TP65H030G4PWS构建4.2kW图腾柱PFC电源，系统峰值效率达99.2%，功率密度突破120W/in³。电动汽车充电，高压快充：适用于22kW集成式车载充电机（OBC），30分钟补能400km，降低热管理成本。技术优势：无反向恢复电荷（Qrr），减少开关损耗，提升充电效率。可再生能源与储能，光伏逆变器：转换效率>99%，微型逆变器GaN采用率达80%。储能系统：双向DC-DC模块循环效率达97.5%，支持户储市场年增50%。工业电源，模块化UPS：静态切换时间<2ms，10kW系统体积缩减40%，散热器重量降低300g。

         据Yole预测，2025-2030年CAGR达62%，瑞萨电子市场份额有望突破25%。AI数据中心能耗占比升至全球电力10%，GaN渗透率将突破35%；全球EV充电桩保有量超4000万台，车规级GaN需求激增。国际巨头英飞凌、意法半导体在高端GaN市场占据领先地位，但瑞萨通过垂直整合（驱动器+控制器+GaN）提供系统级解决方案。本土企业华大半导体、士兰微等通过自主研发实现技术突破，但瑞萨在高压GaN领域仍具技术优势。

          瑞萨战略方面，生态整合，结合收购的Transphorm技术与自身产品组合，提供“GaN+控制器”完整解决方案，降低客户设计复杂度。产能扩展，与Polar Semiconductor合作量产8英寸GaN晶圆，提升供应能力。

            瑞萨电子通过三款650V GaN FET的推出，不仅巩固了其在高压功率半导体领域的领先地位，更通过技术创新与生态整合，为AI、电动汽车、可再生能源等高增长市场提供了高效、可靠的功率转换解决方案。随着GaN技术的持续渗透，瑞萨有望引领功率电子行业迈向“高功率密度、高效率、低成本”的新时代。