顶点光电子商城2025年7月24日消息：碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，因其高能效、耐高温等特性，成为人工智能、电气化等领域的关键技术。安森美作为全球功率半导体领导者，需通过材料创新巩固市场地位。

        近日，安森美与石溪大学达成合作，共同投资2000万美元建设半导体材料研究中心，旨在推动碳化硅材料研发与产业化应用。

         合作目标是研发更大尺寸、更高质量的碳化硅晶体，降低器件成本。提升材料质量，加速碳化硅功率电子器件在高性能、高能效领域的应用。构建新的人才体系，推动功率半导体创新发展。

          安森美投资800万美元，用于支持研究中心运营。石溪大学投入1000万美元，用于实验室翻修与设备采购。纽约州帝国州发展局通过长岛地区经济发展委员会提供最多200万美元资金支持。

        研究领域包括晶体生长、加工与计量测量技术。宽禁带材料（如碳化硅）及器件支持技术的基础研究。研究中心预计于2027年初全面投入运营。

         通过联合研发，有望解决碳化硅晶体尺寸与质量瓶颈，推动功率半导体性能提升。降低器件成本，加速碳化硅在电动汽车、可再生能源等领域的应用。构建新的人才体系，为功率半导体领域输送创新力量。为半导体企业与高校合作提供范例，促进产学研深度融合。