顶点光电子商城2025年12月8日消息：近日，安森美宣布推出采用行业标准T2PAK顶部冷却封装的EliteSiC MOSFET产品。该系列首批发售包括650V和950V两种电压等级，导通电阻覆盖12mΩ至60mΩ范围，将显著提升高功率应用的热管理效率和功率密度。

         随着新能源市场的快速扩张，传统功率器件在热管理和性能平衡上日益显得力不从心。安森美此次推出的创新T2PAK封装解决方案，直接解决了这一核心挑战。

          顶部冷却散热方案标志着功率半导体封装技术的重大进步。传统的功率器件多采用底部散热设计，热量需要通过印刷电路板才能传递到散热器。相比之下，安森美新采用的T2PAK顶部冷却封装设计，实现了热量直接通过器件顶部导向散热器，大幅降低了热传递路径中的热阻。这一创新带来的最直接好处是显著降低器件的结温。根据安森美公布的数据，与传统封装相比，新封装的散热效率提升了30%以上。更低的结温意味着MOSFET能在相同尺寸下承受更高的功率，或者在相同功率条件下拥有更长的使用寿命。

           安森美此次推出的EliteSiC MOSFET不仅散热性能出众，其电性能同样令人瞩目。新款MOSFET在开关速度和导通损耗之间实现了更好平衡。相比传统硅基器件，碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和更低的开关损耗，这些优势在新能源应用中尤为宝贵。同时，T2PAK封装带来的低寄生电感和低热阻设计，使得开关性能得到进一步提升。这种优化在高频应用中能够减少开关损耗，提高整体系统效率。这种优势在电动汽车驱动系统、太阳能逆变器等对效率要求极高的场景中，能够带来显著的性能提升。

          新型T2PAK封装的EliteSiC MOSFET为多个高增长市场带来了技术革新。电动汽车是其主要应用方向之一，特别是主驱逆变器、车载充电器和DC-DC转换器。在这些应用中，功率密度和可靠性是最核心的要求。新封装技术直接满足了这些需求。同时，可再生能源领域同样是这款新品的重要市场。太阳能逆变器和储能系统中，设备需要在高温环境下长时间稳定运行，顶部冷却技术显著提高了系统的热稳定工业电源和服务器电源领域也在加速采用碳化硅技术。随着数据中心功率需求不断增长，高效、紧凑的电源解决方案变得越来越重要，T2PAK封装恰好满足了这些需求。

           安森美此次推出的T2PAK封装EliteSiC MOSFET已开始向主要客户供货。从市场布局来看，这家功率半导体巨头显然在进行战略性扩展。新产品系列将成为安森美在电动汽车等高增长市场的重要抓手，有望进一步巩固其在碳化硅领域的领导地位。

          展望2025年，安森美计划进一步扩展采用T2PAK封装的EliteSiC产品组合，覆盖更广泛的电压和电流等级，满足多样化的应用需求。功率半导体行业正经历从硅基向宽禁带半导体的转型期，安森美通过封装创新与技术整合，展示了其在碳化硅领域的深厚技术积累。

             随着首批采用T2PAK封装的650V和950V EliteSiC器件已向主要客户发货，这一技术革新已经开始在市场上发挥作用。行业观察人士预测，到2026年，碳化硅器件在新能源汽车市场的渗透率将超过30%，安森美在这一关键时刻推出创新封装技术，无疑占据了市场先机。新型顶部冷却封装技术不仅代表着安森美在功率半导体领域的持续创新，更预示着整个行业向更高功率密度、更高效率方向发展的趋势已不可逆转。