采用激光器与受光器的光无线供电技术，作为面向各类设备装置的新型能量传输技术而备受关注。InGaN受光器件具有宽带隙特性，可获得较高开路电压，其优异的光电转换效率已有研究报告[1, 2]。本研究制备了3×3 mm²的In₀.₁Ga₀.₉N受光器件，通过照射对人眼安全的400nm以下激光，开展了光无线供电系统研究。

■方法

        对制备的InGaN受光器件照射波长394nm激光进行特性评估（如下图）。光电转换效率(ηpv)采用激光入射强度(Pin)与受光器件最大输出功率(Pout)，按ηpv=Pout / Pin公式计算。

■结果

        在激光照射强度398 mW/cm² （相当于4倍标准太阳光强度）条件下，获得了20.8%的光电转换效率（如下图）。现阶段需明确的是，实现更高效率需要改善曲线因子(FF)。未来通过降低器件的接触电阻与薄层电阻，有望进一步提升转换效率。

参考文献 

[1] M. Miyoshi et al, AIPA 11 (2021) 095208 

[2] 藤泽 孝博 等, 第 70届春季学术讲演会 15a-B401-5 (2023)