近日，有消息称，三星将于今年上半年开始量产第三代4纳米芯片，将稳定制程早期阶段的良率问题，以及提升性能、功耗和做出面积改进。

       三星近日发布的财报显示，三星将于今年上半年开始量产采用4纳米2.3代工艺的芯片。这是三星电子首次提及4纳米后续版本的具体量产时间。与4纳米芯片的早期版本SF4E相比，第二代和第三代产品表现出更好的性能、更低的功耗和更小的面积。

       三星于去年6月底正式宣布，开始初步生产基于3nm全环绕栅极（Gate-All-AroundT,简称GAA）制程工艺节点的芯片，首先将应用于高性能、低功耗计算领域的半导体芯片，并计划将其扩大至移动处理器领域。

        与三星5nm工艺相比，三星第一代3nm工艺可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面积减少16%；三星表示，未来第二代3nm工艺将使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面积减少35%。

         目前最先进的半导体工艺技术是3纳米，但主要产品还是4纳米和5纳米芯片。根据市场研究公司Counterpoint Research的数据，截至去年第三季度，4纳米和5纳米工艺占销售额的22%，超过了6纳米和7纳米工艺的16%和16、14和12纳米工艺的11%。

        在3纳米方面，半导体行业分析师和专家估计，目前台积电的N3良率可能在60%~70%，最高在75%~80%，第一批的成绩还算不错。相比之下，三星代工厂的3GAE良率在早期阶段从10%~20%不等，废片率高。