顶点光电子商城2024年5月17日消息：北京贝茵凯微电子有限公司（简称“贝茵凯”）在高端领域进行了深入的探索和研究，特别是在IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片领域取得了显著的突破。IGBT是一种由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，它在电力电子行业扮演着至关重要的角色，被誉为是电力电子行业的“CPU”。

          贝茵凯专注于高精尖制程功率芯片的研发与应用，成功研发并批量生产出独具特色的全系列第七代IGBT芯片，从而突破了国产化领域的技术壁垒。这款第七代IGBT产品在性能方面显著优于同类中采用传统制程的IGBT芯片，有效解决了导通损耗与开关损耗难以平衡的问题，具备低导通损耗与低开关损耗的双重优势。此外，它的适用频率范围也得以拓宽，最高适用频率从15kHz-20kHz提升至30kHz-40kHz，达到了国际领先水平。

           此外，贝茵凯的第七代IGBT产品采用了12英寸晶圆，相比传统的8英寸晶圆，其面积大约是后者的2.25倍，这意味着在良率相同的情况下，一片12英寸晶圆的最终产能是一片8英寸晶圆的约2.25倍，从而在生产相同制程芯片的情况下，12英寸晶圆的利润率更高。同时，这款IGBT产品还采用了“微沟槽栅+场截止沟道”结构，其功率密度更高，元胞间距也经过精心设计，并优化了寄生电容参数，实现了5kv/us下的最佳开关性能，以及175℃过载结温，dv/dt可控。

            贝茵凯的这一突破对于我国IGBT产业的发展具有重要意义。长期以来，由于国外企业在核心技术上的领先地位，全球IGBT市场呈现出由国外头部企业主导的垄断格局。然而，随着我国新能源汽车、风电、光伏等产业的快速发展，对于高性能、高可靠性的IGBT芯片的需求日益增长。贝茵凯的成功研发和生产，不仅打破了国外企业的技术垄断，也提升了我国在全球IGBT市场中的地位。

            未来，贝茵凯将继续深耕高端应用领域，致力于开发更高压的碳化硅芯片（SiC MOSFET），同时加强与IGBT产品终端用户企业的合作，全力推进国产芯片的替代进程。这一努力将有助于我国在全球半导体产业中取得更大的话语权，并为我国的新能源汽车、风电、光伏等产业提供更加稳定、可靠的供应链保障。