顶点光电子商城2025年4月8日消息：士兰微于今日披露，其第Ⅳ代SiC芯片与模块已送客户评测，预计将于2025年实现上量。

         根据士兰微发布的公告，公司在2024年加快推进SiC芯片技术研发及量产，已形成月产9,000片6英寸SiC MOS芯片的生产能力。基于自主研发的Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生产的电动汽车主电机驱动模块，已在4家国内汽车厂家累计出货量5万只，客户端反映良好。随着6英寸SiC芯片生产线产能释放，已实现大批量生产和交付。

         目前，士兰微已完成第Ⅳ代平面栅SiC-MOSFET技术的开发，性能指标接近沟槽栅SiC器件的水平。第Ⅳ代SiC芯片与模块已送客户评测，预计将于2025年上量。同时，公司加快推进“士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片生产线”项目的建设，8英寸SiC mini line已实现通线，预计2025年四季度实现全面通线并试生产。

          在国家政策持续支持，以及下游电动汽车、新能源、算力和通讯等行业快速发展、芯片国产替代进程加快的背景下，士兰微电子将加快实施“一体化”战略，持续加大对模拟电路、功率半导体、MEMS传感器、包括SiC、GaN在内的第三代化合物半导体等方面的投入，积极拓展汽车、新能源、工业、通讯、大型白电、电力电子等中高端市场，不断提升产品附加值和产品品牌力，推动公司整体营收的较快成长和经营效益的提升。