顶点光电子商城2025年7月21日消息：近日，日本芯片制造商Rapidus已正式启动2nm晶圆试产，并计划于2027年实现量产，这一进展标志着全球最先进逻辑制程竞争格局从“三强并立”演变为“四雄争霸”。

       Rapidus于2025年7月18日宣布，在其位于北海道千岁市的IIM-1工厂启动2nm全环绕栅极（GAA）晶体管结构的原型试制，并公开展示了首批2nm GAA晶圆。IIM-1工厂于2023年9月破土动工，2024年12月完成洁净室建设，2025年4月1日实现了首次图案曝光与显影，至2025年6月已连接超200套设备，包括先进的DUV和EUV光刻工具。

        Rapidus选择直接从40nm跳跃至2nm，这种技术跨越在半导体史上绝无仅有。2nm制程的核心挑战在于晶体管结构从传统FinFET转变为GAAFET，需实现多阈值电压以确保芯片在低电压下执行复杂计算。

         Rapidus依托三大技术支柱：与IBM合作获得2nm技术基础，联合比利时IMEC获取EUV光刻技术，以及佳能、铠侠开发的纳米压印技术作为“秘密武器”。IBM和Rapidus还引入两种不同的选择性减少层（SLR）芯片构建工艺，成功解决多阈值电压问题。

         Rapidus的加入使全球最先进逻辑制程竞争格局从“三足鼎立”演变为“四雄争霸”，尽管比竞争对手稍晚，但凭借技术跨越和差异化定位，有望在高端制程领域占据一席之地。

            展望未来，Rapidus还将积极布局2纳米之后的1.4纳米技术，并强调如果不能在2年半到3年左右的时间内致力于开发下一代技术，就无法在产业链中取胜。