顶点光电子商城2025年8月15日消息：近日，英诺赛科（Innoscience）推出的全球首款100V低边驱动器芯片INS1011SD，是氮化镓（GaN）技术在电力电子领域的重要突破。该芯片专为驱动双向VGaN™功率器件设计，通过优化栅极驱动、简化电路设计、提升系统效率，为电池管理系统（BMS）、储能系统、电动交通等领域提供了高效、紧凑、低成本的解决方案。

          INS1011SD典型静态电流仅8μA，显著延长电池供电设备的待机时间，尤其适用于需要长期休眠的BMS系统。具备纳秒级开通和关断能力，快速响应故障保护需求，降低开关损耗，提升系统效率。支持多颗VGaN™器件并联，满足高功率密度和大电流应用场景（如储能、电动交通）。

          其工作电压范围覆盖8V-90V，适配多样化电池组需求，关键引脚耐压高，增强系统可靠性。兼容主流AFE（模拟前端）和MCU（微控制器）控制逻辑，采用标准SOP-8封装，便于工程师集成到现有BMS设计中。结合VGaN™器件（体积远小于传统Si MOSFET），简化驱动电路，减少PCB占板面积，实现系统级体积和重量缩减。

          INS1011SD与VGaN™结合，完美替代传统BMS中两颗或多颗背靠背Si MOSFET及其复杂驱动电路，消除双倍导通损耗和开关损耗，提升系统能效。通过减少元器件数量（如MOSFET、驱动芯片）和PCB面积，直接降低系统物料成本（BOM成本）和制造成本。

           应用场景拓展，适用于低压至中压电池包（如电动两轮车、机器人、储能电池模组）的低边保护开关，以及便携式储能电源、家庭储能模块、轻型电动车（LEV）、AGV、叉车等电池系统的保护电路。

          随着全球碳中和目标推进和电气化浪潮深入，锂电池在储能、电动交通、消费电子等领域的应用爆发式增长，对高效、安全、紧凑、低成本的BMS需求激增。

           在100V及以下电压等级的低边开关应用中，INS1011SD+VGaN™方案对传统Si MOS的替代趋势明确，性价比优势显著。英诺赛科作为IDM（垂直整合制造商），提供从VGaN™器件到专用驱动IC的完整解决方案，供应链可靠，技术协同性强，生态壁垒逐渐形成。

           英诺赛科INS1011SD的推出，不仅填补了100V级VGaN™专用驱动的市场空白，更标志着其从单一器件供应商向完整系统解决方案提供商的成功跨越。该芯片与高性能双向VGaN™器件的协同创新，为BMS、储能、电动交通等领域带来了小型化、高效化、低成本化的解决方案，有效解决了传统硅基方案的多重技术瓶颈。随着组件生态系统的不断完善和应用案例的持续落地，英诺赛科正有力推动氮化镓技术在更广泛的电力电子应用中实现便捷、高效的部署，为产业升级和绿色能源发展注入强劲动力。