顶点光电子商城2025年9月8日消息：近日，晶飞半导体成功研发国内首台自主研发的激光剥离设备，实现了12英寸碳化硅晶圆的量产级剥离。该设备从激光器、光学头到运动平台，均采用100%国产供应链，彻底打破了美德日等国在碳化硅加工设备领域的技术垄断。

         12英寸晶圆相比主流6英寸晶圆，可用面积提升约4倍，单颗芯片成本降低30%—40%。传统金刚石线锯切割损耗高达30%，而激光剥离技术将损耗压至5%以内，一片12英寸晶圆可多产400颗车规级MOSFET。设备报价仅为欧洲同类产品的1/3，交付周期缩短一半，国内碳化硅厂商已排队至2027年。

          按2025年全球碳化硅芯片市场规模120亿美元测算，中国厂商一年可节省15亿美元成本，相当于3个“蔚小理”一年的研发投入。成本降低将加速碳化硅器件在新能源汽车、可再生能源等领域的应用。

         该技术解决了大尺寸碳化硅晶圆加工的技术瓶颈，为全球碳化硅产能扩张提供了设备保障。例如，特斯拉、比亚迪等企业已紧急评估技术导入，以应对未来需求。

          技术突破打破了国外厂商对大尺寸碳化硅加工设备的技术垄断，为我国半导体装备自主可控提供了重要支撑。国内企业如华为、理想、蔚来等，计划从2026年起将SiC主驱逆变器国产化率提升至70%。

          从6英寸到12英寸的跨越，不仅是尺寸升级，更是中国半导体装备产业“从0到1”的硬核跨越。激光剥离技术切下的不仅是晶圆，更是套在中国第三代半导体身上多年的“紧箍咒”。未来，随着技术普及，碳化硅器件将更广泛地应用于电动汽车、光伏发电、智能电网等领域，推动全球能源与科技革命。